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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7416TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7416TRPBF价格参考¥1.47-¥1.84。International RectifierIRF7416TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载IRF7416TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7416TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF7416TRPBF 是一款N沟道MOSFET,属于单MOSFET晶体管,广泛应用于低电压、高效率的开关电路中。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、快速开关速度和小型封装(如SO-8),适合空间受限且对功耗敏感的设计。 典型应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑)中的电源管理与负载开关;电池供电系统中的充放电控制与保护电路;DC-DC转换器,用于提升电源转换效率;电机驱动模块,适用于微型电机或步进电机的控制;以及各类消费类电子产品中的信号切换和电源开关功能。 此外,IRF7416TRPBF 也常用于热插拔电路设计,防止电流冲击;在LED驱动电路中作为开关元件实现亮度调节;还可应用于笔记本电脑、USB接口电源控制等需要高效能、低功耗的场合。 其铅(Pb)无卤合规设计(“PbF”后缀)符合环保标准,适用于工业级温度范围,稳定性好,是中小功率电源管理应用中的可靠选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOICMOSFET MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 10 A |
| Id-连续漏极电流 | - 10 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7416TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7416TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 61 nC |
| Qg-栅极电荷 | 61 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 35 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 92nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 20 毫欧 @ 5.6A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF7416TRPBF-ND |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 35 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 栅极电荷Qg | 61 nC |
| 标准包装 | 4,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
| 漏极连续电流 | - 10 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Ta) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf7416.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf7416.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |