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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI8483DB-T2-E1由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI8483DB-T2-E1价格参考。VishaySI8483DB-T2-E1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI8483DB-T2-E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI8483DB-T2-E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI8483DB-T2-E1是一款单N沟道MOSFET,属于高性能、低电压逻辑兼容型功率晶体管,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场合。其主要应用场景包括便携式电子设备(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑)中的电源管理与负载开关,用于控制电池供电或模块供电的通断,实现节能与电路保护。 该器件也常用于DC-DC转换器中,作为同步整流或开关元件,提升电源转换效率。由于其具备低栅极电荷和快速开关特性,适合高频工作环境,常见于小型电源模块和电压调节模块(VRM)。此外,SI8483DB-T2-E1还可用于电机驱动、LED驱动电路以及热插拔电源控制等工业与消费类电子产品中。 其SOT-23封装体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,特别适合空间受限的设计。同时,该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性,适用于对稳定性要求较高的嵌入式系统和便携设备。总体而言,SI8483DB-T2-E1凭借其低导通电阻(RDS(on))、低阈值电压和高效率特性,在现代低功耗、高集成度电子系统中发挥着关键作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOTMOSFET -12V 26mOhm@4.5V 16A P-Ch G-III |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | - 16 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI8483DB-T2-E1TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI8483DB-T2-E1SI8483DB-T2-E1 |
| Pd-PowerDissipation | 13 W |
| Pd-功率耗散 | 13 W |
| Qg-GateCharge | 43 nC |
| Qg-栅极电荷 | 43 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 26 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 20 nS |
| 下降时间 | 20 nS |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 800mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1840pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 26 毫欧 @ 1.5A, 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-Micro Foot™ |
| 其它名称 | SI8483DB-T2-E1CT |
| 典型关闭延迟时间 | 80 nS |
| 功率-最大值 | 13W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 26 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UFBGA |
| 封装/箱体 | Micro Foot-6 1.5x1 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 12 V |
| 漏极连续电流 | - 16 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16A (Tc) |
| 配置 | Single |