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详细数据请看参考数据手册
- 型号： SI4158DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4158DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4158DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4158DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4158DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4158DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI4158DY-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET，属于高性能、低导通电阻的功率MOSFET器件，广泛应用于需要高效开关和低功耗控制的电子系统中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于同步整流、DC-DC转换器（如降压、升压和升降压拓扑），在便携式设备（如笔记本电脑、平板电脑）的电源模块中发挥关键作用，提升能效。 2. 电池供电设备：由于具有低导通电阻（RDS(on)）和低栅极电荷，适合用于智能手机、移动电源等对功耗敏感的产品，有助于延长电池续航时间。 3. 负载开关与电源开关电路：可作为高效电子开关，控制电源通断，防止浪涌电流，保护后级电路。 4. 电机驱动与LED驱动：适用于小型直流电机控制及高亮度LED恒流驱动电路，实现快速响应和稳定工作。 5. 热插拔与过流保护电路：因其快速开关特性和良好的热稳定性，可用于服务器、通信设备中的热插拔控制器。 该器件采用薄型封装（如PowerPAK SO-8），节省PCB空间，适合高密度组装，同时具备优良的散热性能。总体而言，SI4158DY-T1-GE3适用于追求高效率、小体积和高可靠性的现代电子设备中，尤其在消费电子、工业控制和通信领域应用广泛。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 36.5A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4158DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5710pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 132nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 6W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 36.5A (Tc) |
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