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  • 型号: IXFP22N60P3
  • 制造商: IXYS
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IXFP22N60P3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFP22N60P3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFP22N60P3价格参考。IXYSIXFP22N60P3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 22A(Tc) 500W(Tc) TO-220AB。您可以下载IXFP22N60P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFP22N60P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXFP22N60P3是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率MOSFET类别。该器件具有高耐压、大电流能力和优异的热稳定性,适用于多种中高功率电子系统设计。

 主要应用场景包括:

1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC整流器,用于高效能电能变换。
2. 电机驱动与控制:广泛应用于工业自动化、伺服驱动器和变频器中,作为功率开关元件。
3. 逆变器系统:用于太阳能逆变器、UPS不间断电源及电动汽车中的电能逆变模块。
4. 照明系统:在高强度放电灯(HID)或LED驱动电路中作为高频开关使用。
5. 消费类电子产品:如高功率充电器、适配器等需要高效功率管理的场合。

该MOSFET具备低导通电阻、快速开关速度和良好的抗雪崩能力,适合高频、高效率和高可靠性的应用需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

数据手册

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产品图片

产品型号

IXFP22N60P3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

Polar3™ HiPerFET™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 1.5mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2600pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

38nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

360 毫欧 @ 11A,10V

供应商器件封装

TO-220AB

功率-最大值

500W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

22A (Tc)

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