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IXFP22N60P3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFP22N60P3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFP22N60P3价格参考。IXYSIXFP22N60P3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 22A(Tc) 500W(Tc) TO-220AB。您可以下载IXFP22N60P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFP22N60P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFP22N60P3是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率MOSFET类别。该器件具有高耐压、大电流能力和优异的热稳定性,适用于多种中高功率电子系统设计。 主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC整流器,用于高效能电能变换。 2. 电机驱动与控制:广泛应用于工业自动化、伺服驱动器和变频器中,作为功率开关元件。 3. 逆变器系统:用于太阳能逆变器、UPS不间断电源及电动汽车中的电能逆变模块。 4. 照明系统:在高强度放电灯(HID)或LED驱动电路中作为高频开关使用。 5. 消费类电子产品:如高功率充电器、适配器等需要高效功率管理的场合。 该MOSFET具备低导通电阻、快速开关速度和良好的抗雪崩能力,适合高频、高效率和高可靠性的应用需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | IXYS |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IXFP22N60P3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | Polar3™ HiPerFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 1.5mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2600pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 360 毫欧 @ 11A,10V |
供应商器件封装 | TO-220AB |
功率-最大值 | 500W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 22A (Tc) |