Datasheet下载- 型号： FDB38N30U
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB38N30U由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB38N30U价格参考。Fairchild SemiconductorFDB38N30U封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDB38N30U参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB38N30U 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的FDB38N30U是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于需要高效开关和功率控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器中，因其低导通电阻（RDS(on)）和高效率，有助于降低能量损耗，提高电源整体效率。 2. 电机驱动：适用于工业控制、电动工具、家用电器中的直流电机或步进电机驱动电路，能够承受较高的电流和电压，确保稳定运行。 3. 照明系统：在LED驱动电源中作为开关元件，支持恒流输出，提升照明系统的能效与可靠性。 4. 逆变器与UPS：用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等设备中，实现直流到交流的高效转换。 5. 汽车电子：尽管非车规级主芯片，但在部分车载辅助电源系统或车载充电设备中也有应用，需注意工作环境匹配。 FDB38N30U具有300V耐压、38A大电流能力及优化的栅极电荷特性，适合高频开关操作。其封装形式利于散热，适用于紧凑型高功率密度设计。总体而言，该器件适用于中高功率、追求高效率与可靠性的工业、消费类及部分车载电源系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N CH 300V 38A D2PAKMOSFET N-Channel UniFETTM Ultra FRFETTM MOSFET 300V, 38A, 120m |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 38 A |
| Id-连续漏极电流 | 38 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB38N30UUniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDB38N30U |
| Pd-PowerDissipation | 313 W |
| Pd-功率耗散 | 313 W |
| Qg-GateCharge | 56 nC |
| Qg-栅极电荷 | 56 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 103 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 103 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 300 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V to 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V to 5 V |
| 上升时间 | 80 ns |
| 下降时间 | 62 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3340pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 73nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 120 毫欧 @ 19A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | FDB38N30UDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 133 ns |
| 功率-最大值 | 313W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 30 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 38A （Tc） |
| 系列 | FDB38N30U |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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