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  • 型号: IRFD9120
  • 制造商: Vishay
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IRFD9120产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD9120由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD9120价格参考。VishayIRFD9120封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 100V 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP。您可以下载IRFD9120参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFD9120 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的IRFD9120是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子场景中。以下是其主要应用场景:

 1. 开关电源 (SMPS)
   - IRFD9120适用于开关电源中的功率转换电路,如DC-DC转换器和AC-DC适配器。
   - 其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少传导损耗,提高效率。
   - 可用于同步整流、降压或升压转换器等电路。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机驱动中,IRFD9120可用作开关器件,控制电机的启停、速度和方向。
   - 适合低功率消费类电子产品,如风扇、玩具、家用电器等。

 3. 负载开关
   - 作为负载开关,IRFD9120可以实现对电路中特定负载的快速开启和关闭。
   - 常见于便携式设备(如智能手机、平板电脑)中,用于管理电池供电。

 4. 电池保护与管理
   - 在电池管理系统中,IRFD9120可用于过流保护、短路保护以及防止反向电流。
   - 适用于锂离子电池、镍氢电池等可充电电池组。

 5. 逆变器
   - 在小型逆变器应用中,IRFD9120可作为功率开关,将直流电转换为交流电。
   - 适用于太阳能微逆变器或其他低功率逆变器。

 6. 信号切换
   - 用于音频、视频或数据信号的切换电路,提供低噪声和高可靠性的性能。
   - 常见于多路复用器或多路选择器设计中。

 7. 照明控制
   - 在LED驱动电路中,IRFD9120可以用作PWM调光控制开关,调节LED亮度。
   - 适用于汽车尾灯、室内照明等场景。

 8. 继电器替代
   - IRFD9120可以用作固态继电器,替代传统机械继电器,提供更快的开关速度和更长的使用寿命。
   - 适用于工业自动化、家电控制等领域。

 总结
IRFD9120凭借其出色的电气性能(如低Rds(on)、高击穿电压和快速开关能力),在低功率至中功率的应用中表现出色。它适用于需要高效能、低功耗和高可靠性的各种电子系统。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIPMOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1 A

Id-连续漏极电流

1 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFD9120-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRFD9120IRFD9120

Pd-PowerDissipation

1300 mW

Pd-功率耗散

1.3 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

600 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

600 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

- 100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

29 ns

下降时间

29 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

390pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

18nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

600 毫欧 @ 600mA,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

4-DIP,Hexdip,HVMDIP

其它名称

*IRFD9120

典型关闭延迟时间

21 ns

功率-最大值

1.3W

功率耗散

1300 mW

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

600 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

4-DIP(0.300",7.62mm)

封装/箱体

HexDIP-4

工厂包装数量

2500

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

1 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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