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IRFD9120产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD9120由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD9120价格参考。VishayIRFD9120封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 100V 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP。您可以下载IRFD9120参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFD9120 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRFD9120是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子场景中。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - IRFD9120适用于开关电源中的功率转换电路,如DC-DC转换器和AC-DC适配器。 - 其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少传导损耗,提高效率。 - 可用于同步整流、降压或升压转换器等电路。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机驱动中,IRFD9120可用作开关器件,控制电机的启停、速度和方向。 - 适合低功率消费类电子产品,如风扇、玩具、家用电器等。 3. 负载开关 - 作为负载开关,IRFD9120可以实现对电路中特定负载的快速开启和关闭。 - 常见于便携式设备(如智能手机、平板电脑)中,用于管理电池供电。 4. 电池保护与管理 - 在电池管理系统中,IRFD9120可用于过流保护、短路保护以及防止反向电流。 - 适用于锂离子电池、镍氢电池等可充电电池组。 5. 逆变器 - 在小型逆变器应用中,IRFD9120可作为功率开关,将直流电转换为交流电。 - 适用于太阳能微逆变器或其他低功率逆变器。 6. 信号切换 - 用于音频、视频或数据信号的切换电路,提供低噪声和高可靠性的性能。 - 常见于多路复用器或多路选择器设计中。 7. 照明控制 - 在LED驱动电路中,IRFD9120可以用作PWM调光控制开关,调节LED亮度。 - 适用于汽车尾灯、室内照明等场景。 8. 继电器替代 - IRFD9120可以用作固态继电器,替代传统机械继电器,提供更快的开关速度和更长的使用寿命。 - 适用于工业自动化、家电控制等领域。 总结 IRFD9120凭借其出色的电气性能(如低Rds(on)、高击穿电压和快速开关能力),在低功率至中功率的应用中表现出色。它适用于需要高效能、低功耗和高可靠性的各种电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIPMOSFET P-Chan 100V 1.0 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1 A |
| Id-连续漏极电流 | 1 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFD9120- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFD9120IRFD9120 |
| Pd-PowerDissipation | 1300 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 600 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 600 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 29 ns |
| 下降时间 | 29 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 390pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 600 毫欧 @ 600mA,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 4-DIP,Hexdip,HVMDIP |
| 其它名称 | *IRFD9120 |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 功率耗散 | 1300 mW |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 600 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 4-DIP(0.300",7.62mm) |
| 封装/箱体 | HexDIP-4 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |