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Datasheet下载- 型号： SI7456DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI7456DP-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7456DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7456DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7456DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 5.7A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8。您可以下载SI7456DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7456DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7456DP-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点。其主要应用场景包括： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：用于降压或升压转换器中的开关器件，提供高效的功率传输。 - 负载开关：在便携式设备中用作负载开关，控制电路的开启和关闭，减少静态电流损耗。 - 电池保护：应用于锂电池管理系统中，防止过流、短路或反向电流。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于玩具、家用电器等需要精确电流控制的小功率电机驱动。 - H桥电路：用于双向电机控制，实现正转和反转功能。 3. 消费电子 - 智能手机和平板电脑：作为负载开关或电源路径管理器件，优化电池续航。 - 音频放大器：用于功率输出级，提供高效且低失真的信号放大。 4. 工业应用 - 传感器接口：为传感器供电并保护电路免受外部干扰。 - 继电器替代：利用其快速开关特性和低功耗特性，替代传统机械继电器。 5. 汽车电子 - 车载电子设备：如导航系统、娱乐系统中的电源管理模块。 - LED驱动：用于车灯照明系统的亮度调节和保护。 特性优势： - 低导通电阻（典型值 18 mΩ @ Vgs = 4.5V）：降低功率损耗，提高效率。 - 高工作频率：适合高频开关应用，减少磁性元件体积。 - ESD保护：增强抗静电能力，提高可靠性。 该型号适用于对效率、尺寸和成本敏感的设计场合，特别是在需要低功耗和高可靠性的便携式和嵌入式系统中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8MOSFET 100V 9.3A 5.2W 25mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 9.3 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71603 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7456DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7456DP-T1-GE3SI7456DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 5.2 W |
| Pd-功率耗散 | 5.2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 25 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 9.3A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SI7456DP-T1-GE3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 46 ns |
| 功率-最大值 | 1.9W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.7A （Ta） |
| 系列 | SI74xxDx |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI7456DP-GE3 |
