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Datasheet下载- 型号： SI4378DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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SI4378DY-T1-E3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4378DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4378DY-T1-E3价格参考。VishaySI4378DY-T1-E3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 20V 19A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO。您可以下载SI4378DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4378DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4378DY-T1-E3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.2mm × 1.2mm小型TDFN-6封装，具有低导通电阻（RDS(on)）和高功率密度，适用于空间受限的便携式电子设备。其主要应用场景包括： 1. 电池供电设备：广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携产品中，作为负载开关或电源管理模块，实现高效的电源通断控制，降低静态功耗，延长电池续航。 2. DC-DC转换电路：在同步降压或升压转换器中用作高边或低边开关，配合N沟道MOSFET工作，提升电源转换效率，适用于主板、电源模块等对能效要求高的场合。 3. 热插拔与电源开关控制：可用于USB接口、SD卡槽等需要安全热插拔的电路中，防止浪涌电流损坏系统。 4. 电机驱动与LED驱动：在小功率电机控制或背光LED驱动电路中，作为开关元件实现精确控制。 5. 工业与消费类电子产品：如无线耳机充电仓、智能家居传感器、便携医疗设备等，利用其小尺寸和高可靠性满足紧凑设计需求。 SI4378DY-T1-E3凭借优异的电气性能和小型化封装，在高集成度、低功耗的应用中表现出色，是现代电子设备中理想的功率开关解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOICMOSFET 20V 25A 3.5W 2.7mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 19 A |
| Id-连续漏极电流 | 19 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4378DY-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4378DY-T1-E3SI4378DY-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 27 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 27 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 65 ns |
| 下降时间 | 65 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8500pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 55nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7 毫欧 @ 25A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4378DY-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 140 ns |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 27 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 19 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4378DY-E3 |
