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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SI4447DY-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的 DC-DC 转换器和电源开关,因其低导通电阻(Rds(on))可减少功率损耗,提高效率。 2. 负载开关:用于控制电池供电设备中的负载开关,如便携式电子产品、智能手持设备等,具备快速开关能力和低漏电流特性。 3. 电机控制:在小型电机驱动或继电器替代方案中,作为高侧或低侧开关使用,适用于电动工具、无人机或机器人控制系统。 4. 汽车电子:用于车载电源系统、LED 照明控制或电池管理系统(BMS),满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 5. 工业自动化:作为工业控制模块中的功率开关,用于PLC、传感器模块或工业电源系统中,具备良好的热稳定性和耐用性。 该器件采用小型封装(如 TSOP),适合空间受限的设计,同时具备高耐用性和良好的热性能,适用于中低功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?73662 |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | SI4447DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 805pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 72 毫欧 @ 4.5A,15V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4447DY-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.3A (Ta) |