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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MBR6045WTG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBR6045WTG价格参考。ON SemiconductorMBR6045WTG封装/规格:二极管 - 整流器 - 阵列, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 45V 30A Through Hole TO-247-3。您可以下载MBR6045WTG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MBR6045WTG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MBR6045WTG是一款二极管整流器阵列,主要用于高效、紧凑的电源管理和功率转换应用。该器件具有低正向电压降(Vf)和高浪涌电流能力,适用于需要高可靠性和效率的电路设计。 主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS): MBR6045WTG广泛应用于开关电源中的整流部分,特别是在反激式、正激式和升压/降压转换器中。其低正向电压降有助于减少功耗,提高整体转换效率,特别适合于笔记本电脑适配器、显示器电源等便携式设备的电源管理。 2. 电机驱动: 在电机驱动应用中,MBR6045WTG可用于保护电路,防止反电动势对系统造成损害。它能够快速响应并吸收电机关闭时产生的瞬态电压,确保系统的稳定性和安全性。 3. 太阳能逆变器: 该器件在太阳能逆变器中用于直流到交流的转换过程中的整流部分。其高效的整流性能和高可靠性使得它能够在恶劣的户外环境中长期稳定工作,确保太阳能发电系统的高效运行。 4. 汽车电子: MBR6045WTG符合AEC-Q101标准,适用于汽车电子系统中的电源管理模块。例如,在车载充电器、DC-DC转换器以及电池管理系统中,该器件能够提供稳定的电流输出,同时具备良好的热性能和抗干扰能力。 5. 工业自动化: 在工业自动化设备中,如PLC控制器、伺服驱动器等,MBR6045WTG用于电源模块和保护电路。其高浪涌电流能力和低反向漏电流特性,使其能够在复杂的工业环境中保持稳定工作,延长设备的使用寿命。 6. 消费电子产品: 该器件还适用于各种消费电子产品中的电源管理,如智能手机充电器、平板电脑、智能家居设备等。其紧凑的封装形式和高效的整流性能,使得它成为小型化、高性能电子产品的理想选择。 总之,MBR6045WTG凭借其优异的电气特性和可靠性,适用于多种电源管理和功率转换应用场景,尤其在需要高效、紧凑设计的地方表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 45V 30A TO247肖特基二极管与整流器 60A 45V |
| 产品分类 | 二极管,整流器 - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor MBR6045WTGSWITCHMODE™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MBR6045WTG |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 620mV @ 30A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1mA @ 45V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 二极管配置 | 1 对共阴极 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | MBR6045WTGOS |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 峰值反向电压 | 45 V |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 175 C |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 1000 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 500 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向电压下降 | 0.75 V |
| 正向连续电流 | 60 A |
| 热阻 | 1°C/W Jc |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 45V |
| 电流-平均整流(Io)(每二极管) | 30A |
| 系列 | MBR6045WT |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Dual Common Cathode |