| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLU110PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLU110PBF价格参考。VishayIRLU110PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLU110PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLU110PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLU110PBF 是 Vishay Siliconix(威世科技)生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于电源管理和开关电路中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于电池供电设备中的负载开关或反向电流保护,如笔记本电脑、平板电脑和移动电源等便携式电子产品。 2. DC-DC 转换器:在同步整流降压或升压转换器中作为高边开关使用,提高电源转换效率。 3. 电机控制与驱动:用于小型电机、风扇或继电器的开关控制,常见于工业自动化设备和家电中。 4. 负载开关与电源分配:在服务器、通信设备或多路电源系统中用于控制不同模块的供电通断。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED 照明控制及车身控制模块等对可靠性要求较高的场景。 该器件具有低导通电阻、封装小巧(如TSOP)、易于集成等特点,适合高频开关应用,并有助于降低系统功耗。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAKMOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.3 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLU110PBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91323 |
| 产品型号 | IRLU110PBFIRLU110PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 540 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 540 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 47 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.1nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 540 毫欧 @ 2.6A,5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-251AA |
| 其它名称 | *IRLU110PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.3A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |