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产品简介:
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IRFZ48STRR是由Vishay Siliconix生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):IRFZ48STRR具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够高效地用作开关元件,适用于各种开关模式电源电路,如降压、升压或反激式转换器。 2. 电机驱动:由于其出色的电流处理能力和耐压特性,该器件适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,实现对电机的启停、速度和方向控制。 3. 负载切换:在需要频繁开启或关闭高电流负载的应用中(如LED照明、加热元件等),IRFZ48STRR可以作为高效的电子开关,减少功率损耗并提高系统效率。 4. 电池管理系统(BMS):在电池保护和管理电路中,这款MOSFET可以用作充电/放电路径的控制开关,确保电池安全运行并延长使用寿命。 5. 逆变器与太阳能应用:凭借其良好的电气性能,IRFZ48STRR也适用于小型逆变器以及太阳能微逆变器中的功率转换部分,帮助实现可再生能源的有效利用。 6. 音频功放电路:在某些D类音频放大器设计中,这种MOSFET可用作输出级开关器件,提供高效能的声音信号放大功能。 总之,IRFZ48STRR因其卓越的电气特性和可靠性,在众多电力电子设备及工业自动化领域中得到了广泛应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | http://www.vishay.com/doc?90377 |
产品图片 | |
产品型号 | IRFZ48STRR |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 18 毫欧 @ 43A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 3.7W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 50A (Tc) |