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型号： BSZ042N06NSATMA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BSZ042N06NSATMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSZ042N06NSATMA1价格参考￥3.87-￥8.43。InfineonBSZ042N06NSATMA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 60V 17A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL。您可以下载BSZ042N06NSATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSZ042N06NSATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌）的BSZ042N06NSATMA1是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的FET/MOSFET单管类别。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和优异的开关性能，广泛应用于需要高效能与紧凑设计的电源系统中。

典型应用场景包括：  
1. 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC和DC-DC转换器，如适配器、充电器和服务器电源，其低导通损耗有助于提高整体能效。  
2. 电机驱动：用于工业控制、电动工具和家用电器中的小型电机控制，支持快速开关和稳定运行。  
3. 照明电源：在LED驱动电源中，提供高效稳定的电流控制，适用于商业和户外照明系统。  
4. 消费电子设备：如笔记本电脑、游戏机等设备的电源管理模块，因其小型化封装（如PG-TSDSON-8）节省PCB空间。  
5. 光伏逆变器：在太阳能微逆变器中作为关键开关元件，提升能量转换效率。

该MOSFET具备60V耐压和4.2mΩ超低导通电阻，适合中等功率应用，同时优化了栅极电荷和输出电容，降低开关损耗，提升系统热性能。其符合RoHS标准，采用无铅封装，适用于自动化生产。

综上，BSZ042N06NSATMA1凭借高效率、小尺寸和可靠性，广泛服务于工业、消费电子和绿色能源领域的电源转换系统。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
Id-ContinuousDrainCurrent	40 A
Id-连续漏极电流	40 A
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	MOSFET
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSZ042N06NSATMA1
产品型号	BSZ042N06NSATMA1
Pd-PowerDissipation	69 W
Pd-功率耗散	69 W
Qg-GateCharge	27 nC
Qg-栅极电荷	27 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	4.2 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	4.2 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	2.8 V
Vgsth-栅源极阈值电压	2.8 V
上升时间	7 ns
下降时间	6 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	19 ns
商标	Infineon Technologies
商标名	OptiMOS
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/箱体	TDSON-8
工厂包装数量	5000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
正向跨导-最小值	54 S
系列	BSZ042N06
配置	Single Quad Drain
零件号别名	SP000917418