Datasheet下载- 型号： IRF8113PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF8113PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF8113PBF价格参考。International RectifierIRF8113PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF8113PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF8113PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRF8113PBF的MOSFET，属于功率MOSFET器件，广泛应用于需要高效、快速开关性能的场景。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理：IRF8113PBF常用于DC-DC转换器、同步整流器和电源稳压模块中，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源系统。 2. 电机控制：在无刷直流电机（BLDC）驱动器和电动工具中，该MOSFET可用于实现高效、高频率的开关控制，提升电机效率和响应速度。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电动车辆、储能系统和便携式设备中，作为充放电回路的开关元件，具有低导通电阻，有助于减少能耗和发热。 4. 负载开关与热插拔应用：在服务器和通信设备中，用于控制电源的通断，支持热插拔功能，保障系统运行的稳定性和安全性。 5. 工业自动化与控制设备：用于PLC、工业电源和自动化系统中，满足高可靠性与高效率的运行需求。 综上，IRF8113PBF凭借其高性能和可靠性，适用于多种中高功率电子系统的设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOICMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6mOhms 24nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 16.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 16.6 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF8113PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF8113PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 24 nC |
| Qg-栅极电荷 | 24 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8.9 ns |
| 下降时间 | 3.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2910pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.6 毫欧 @ 17.2A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 7.4 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 16.6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17.2A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf8113.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf8113.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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