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FDG6304P产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDG6304P由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDG6304P价格参考。Fairchild SemiconductorFDG6304P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 25V 410mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)。您可以下载FDG6304P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDG6304P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的FDG6304P是一款P沟道MOSFET阵列,内部集成两个相同的P沟道MOSFET,采用1.8V逻辑电平兼容设计,具有低导通电阻和小封装优势。该器件常用于便携式电子设备和高密度电路中。 典型应用场景包括: 1. 电源管理开关:在电池供电设备中作为负载开关,控制电源通断,降低静态功耗,延长电池寿命,适用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备。 2. 电压反转与电平转换:用于I²C、SDA/SCL等双向信号线的电平转换电路,支持不同电压域之间的通信,常见于微控制器与外设接口之间。 3. 电机驱动与LED背光控制:在小型直流电机或LED驱动电路中作为开关元件,实现启停和调光控制。 4. 热插拔与过流保护电路:配合保护IC使用,防止系统在插拔过程中产生浪涌电流。 FDG6304P采用1.8Ω典型导通电阻(VGS = -4.5V)、SOT-363(SC-70)小尺寸封装,适合空间受限的便携设备。其低阈值电压特性使其可直接由低压逻辑信号驱动,提升系统能效与响应速度。广泛应用于消费电子、工业控制、通信模块等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | IC FET DGTL P-CHAN DUAL SC70-6MOSFET SC70-6 P-CH -25V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 410 mA |
| Id-连续漏极电流 | 410 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDG6304P- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDG6304P |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.3 W |
| Pd-功率耗散 | 300 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.1 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.1 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 8 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 62pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.1 欧姆 @ 410mA,4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 |
| 其它名称 | FDG6304PCT |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 28 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.9 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 410mA |
| 系列 | FDG6304P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | FDG6304P_NL |