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NTLJD3115PT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLJD3115PT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLJD3115PT1G价格参考。ON SemiconductorNTLJD3115PT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 2.3A 710mW 表面贴装 6-WDFN(2x2)。您可以下载NTLJD3115PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTLJD3115PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLJD3115PT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列。其主要应用场景包括: 1. 信号切换: 该器件适用于需要低功耗信号切换的场景,例如音频设备中的信号路径切换、数据通信中的多路复用器/解复用器等。 2. 负载开关: 在电源管理中,NTLJD3115PT1G 可用于实现负载开关功能,控制电路中不同部分的供电状态,从而降低待机功耗或保护电路免受过流影响。 3. 电池管理: 该器件适合用于便携式电子设备(如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等)中的电池充放电管理,提供高效的电流控制和保护功能。 4. 电机驱动: 在小型直流电机驱动应用中,NTLJD3115PT1G 可作为功率级的一部分,用于控制电机的启动、停止和方向切换。 5. 热插拔保护: 在需要频繁插入或拔出设备的系统中(如服务器、存储设备等),该 MOSFET 阵列可用于限制浪涌电流并保护系统免受损坏。 6. LED 驱动: 该器件可用于驱动低功率 LED 灯串,通过精确控制电流来调节亮度和颜色。 7. 消费类电子产品: 包括音频放大器、游戏控制器、智能家居设备等,这些领域通常需要小型化、高效能的开关解决方案。 NTLJD3115PT1G 的特点(低导通电阻、小封装尺寸、高工作电压等)使其非常适合需要高效率、紧凑设计和可靠性能的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CHAN DUAL 20V 6-WDFNMOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.3 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTLJD3115PT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTLJD3115PT1G |
| Pd-PowerDissipation | 1500 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms at 4.5 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 106 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 13.2 ns, 15 ns |
| 下降时间 | 13.2 ns, 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 531pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 2A,4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-WDFN(2x2) |
| 其它名称 | NTLJD3115PT1G-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 13.7 ns, 19.8 ns |
| 功率-最大值 | 710mW |
| 功率耗散 | 1500 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 100 mOhms at 4.5 V |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 3.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.3A |
| 系列 | NTLJD3115P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | +/- 8 V |