Datasheet下载- 型号： SI4330DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4330DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4330DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4330DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4330DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4330DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4330DY-T1-GE3 是一款 MOSFET 阵列器件，主要用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件集成了多个 MOSFET，有助于减少PCB空间占用并提高系统可靠性。 SI4330DY-T1-GE3 常见的应用包括： 1. DC-DC转换器：用于电源转换系统中，提高效率并减小电源模块的体积。 2. 负载开关：在电池供电设备中控制电源通断，如笔记本电脑、平板和智能手机。 3. 电机驱动：适用于小型电机或继电器的控制，提供高效、可靠的开关功能。 4. 电源管理单元（PMU）：用于多路电源控制和分配，常见于嵌入式系统和工业控制设备中。 5. 热插拔电路：支持在不断电的情况下插入或移除设备，广泛用于服务器和通信设备中。 该器件采用小型封装，适合高密度设计，具有较低的导通电阻和良好的热性能，适用于中低功率应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4330DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16.5 毫欧 @ 8.7A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.6A |
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