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PUMZ2,115产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PUMZ2,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PUMZ2,115价格参考。NXP SemiconductorsPUMZ2,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 100MHz, 190MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP, SC-88。您可以下载PUMZ2,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PUMZ2,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PUMZ2,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极性晶体管(BJT)阵列,采用 SOT-363(SC-70-6)封装,内部集成两个独立的 NPN 晶体管,具有低饱和电压、高电流增益(hFE)、小尺寸和良好匹配特性。其典型应用场景包括: - 数字逻辑电平转换与信号缓冲:常用于微控制器 I/O 扩展,驱动 LED、小型继电器或蜂鸣器等低功率负载; - 电源管理中的负载开关:配合 MCU 实现对外围模块(如传感器、通信模块)的分时供电控制,降低待机功耗; - 接口电路保护与驱动:在工业控制板、消费电子(如打印机、机顶盒)中,用作 RS-232/UART 电平转换后的驱动级或隔离缓冲; - LED 矩阵/段式显示驱动:利用双管结构实现共阴/共阳扫描驱动,提升响应速度与一致性; - 小型 DC-DC 辅助电路:在升压/降压拓扑中作为基准电流源、使能控制或反馈回路中的有源负载。 该器件工作电压范围宽(VCEO = 45 V),集电极连续电流达 100 mA(每管),适合中低功率、高集成度的嵌入式系统设计,兼顾成本、面积与可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 50V 150MA 6TSSOP两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PUMZ2,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PUMZ2,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 1mA,6V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-11289-6 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz, 190 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN,PNP |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 150mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 直流电流增益hFE最大值 | 120 at 1 mA at 6 V |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 零件号别名 | PUMZ2 T/R |
| 频率-跃迁 | 100MHz,190MHz |