【晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列_ULN2004ADR】封装/厂家_ULN2004ADR中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > ULN2004ADR

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： ULN2004ADR
制造商： Texas Instruments
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

ULN2004ADR产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供ULN2004ADR由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ULN2004ADR价格参考￥2.27-￥2.84。Texas InstrumentsULN2004ADR封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA 16-SOIC。您可以下载ULN2004ADR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ULN2004ADR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS 7 NPN DARL 50V 500MA 16SO达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
产品分类	晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体
品牌	Texas Instruments
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,达林顿晶体管,Texas Instruments ULN2004ADR-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	ULN2004ADR
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	1.6V @ 500µA， 350mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	-
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	达林顿晶体管
供应商器件封装	16-SOIC
其它名称	296-15067-6
功率-最大值	-
包装	Digi-Reel®
单位重量	141.700 mg
商标	Texas Instruments
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-16
工厂包装数量	2500
晶体管类型	7 NPN 达林顿
最大工作温度	+ 70 C
最小工作温度	- 20 C
标准包装	1
电压-集射极击穿（最大值）	50V
电流-集电极(Ic)（最大值）	500mA
电流-集电极截止（最大值）	-
系列	ULN2004A
频率-跃迁	-