数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FMB200由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMB200价格参考。Fairchild SemiconductorFMB200封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FMB200参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FMB200 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FMB200是安森美(ON Semiconductor)推出的一款双极结型晶体管(BJT)阵列器件,内部集成了两个匹配的NPN晶体管。该器件主要用于需要高可靠性、紧凑设计和良好热稳定性的模拟与数字电路中。 典型应用场景包括: 1. 信号放大电路:由于其良好的电流增益和频率响应特性,FMB200常用于音频前置放大、传感器信号调理等小信号放大场合。 2. 开关电路:在电源管理、LED驱动和继电器控制等应用中,FMB200可作为高速开关使用,实现低功耗控制。 3. 差分放大器与推挽输出级:集成的匹配晶体管特别适合构建差分对或互补输出结构,广泛应用于运算放大器、驱动电路中,提升电路对称性和稳定性。 4. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑中的电源切换、接口电平转换等模块。 5. 工业控制与汽车电子:得益于安森美在汽车级器件方面的优势,FMB200也适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对温度范围和可靠性要求较高的环境。 FMB200采用小型化封装(如SOT-26),节省PCB空间,适合高密度布局,同时具备优良的热性能和电气匹配性,提升了系统整体一致性与可靠性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR PNP 45V 500MA SSOT-6两极晶体管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FMB200- |
数据手册 | |
产品型号 | FMB200 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 20mA,200mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 6-SSOT |
其它名称 | FMB200DKR |
功率-最大值 | 700mW |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 36 mg |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
增益带宽产品fT | 300 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
封装/箱体 | SSOT-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 0.7 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
电流-集电极截止(最大值) | 50nA |
直流电流增益hFE最大值 | 450 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
系列 | FMB200 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
集电极—基极电压VCBO | 60 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.4 V |
集电极连续电流 | 0.5 A |
频率-跃迁 | 300MHz |