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  • 型号: FMB200
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FMB200由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMB200价格参考。Fairchild SemiconductorFMB200封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FMB200参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FMB200 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FMB200是安森美(ON Semiconductor)推出的一款双极结型晶体管(BJT)阵列器件,内部集成了两个匹配的NPN晶体管。该器件主要用于需要高可靠性、紧凑设计和良好热稳定性的模拟与数字电路中。

典型应用场景包括:  
1. 信号放大电路:由于其良好的电流增益和频率响应特性,FMB200常用于音频前置放大、传感器信号调理等小信号放大场合。  
2. 开关电路:在电源管理、LED驱动和继电器控制等应用中,FMB200可作为高速开关使用,实现低功耗控制。  
3. 差分放大器与推挽输出级:集成的匹配晶体管特别适合构建差分对或互补输出结构,广泛应用于运算放大器、驱动电路中,提升电路对称性和稳定性。  
4. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑中的电源切换、接口电平转换等模块。  
5. 工业控制与汽车电子:得益于安森美在汽车级器件方面的优势,FMB200也适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对温度范围和可靠性要求较高的环境。

FMB200采用小型化封装(如SOT-26),节省PCB空间,适合高密度布局,同时具备优良的热性能和电气匹配性,提升了系统整体一致性与可靠性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANSISTOR PNP 45V 500MA SSOT-6两极晶体管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FMB200-

数据手册

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产品型号

FMB200

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

400mV @ 20mA,200mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 150mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

6-SSOT

其它名称

FMB200DKR

功率-最大值

700mW

包装

Digi-Reel®

单位重量

36 mg

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

Fairchild Semiconductor

增益带宽产品fT

300 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

封装/箱体

SSOT-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

0.7 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.5 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

50nA

直流电流增益hFE最大值

450

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

系列

FMB200

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

45 V

集电极—基极电压VCBO

60 V

集电极—射极饱和电压

0.4 V

集电极连续电流

0.5 A

频率-跃迁

300MHz

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