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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IMT17T110由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IMT17T110价格参考。ROHM SemiconductorIMT17T110封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IMT17T110参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IMT17T110 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的IMT17T110是一款双极结型晶体管(BJT)阵列器件,属于小信号NPN型晶体管组合。该型号常用于需要高集成度和稳定性能的模拟与数字电路中。其典型应用场景包括便携式电子设备中的信号放大、开关控制以及逻辑电路驱动。 由于其封装小巧(如SMT3封装)、功耗低且响应速度快,IMT17T110广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中的电源管理模块、LED背光驱动电路或传感器信号调理电路。此外,该器件也适用于各类小型家电、办公自动化设备和工业控制模块中的继电器驱动、音频信号处理及接口电路设计。 IMT17T110具备良好的热稳定性和可靠性,适合在紧凑空间内实现多路信号控制,尤其适用于对板级空间要求严格的高密度PCB布局。同时,其一致的电气特性保证了在阵列工作时的匹配性,提升了系统整体的稳定性与效率。因此,在需要多个匹配BJT协同工作的场景中,该器件表现出较高的性价比和设计灵活性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 50V 500MA 6SMT两极晶体管 - BJT DUAL PNP 50V 500MA SOT-457 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor IMT17T110- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IMT17T110 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 600mV @ 50mA,500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 100mA,3V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SMT6 |
| 其它名称 | IMT17T110DKR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
| 封装/箱体 | SC-74 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP(双) |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 390 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 60 V |
| 集电极连续电流 | - 500 mA |
| 频率-跃迁 | 200MHz |