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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH44N50Q3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH44N50Q3价格参考。IXYSIXFH44N50Q3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 44A(Tc) 830W(Tc) TO-247AD(IXFH)。您可以下载IXFH44N50Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFH44N50Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS公司生产的IXFH44N50Q3是一款高性能的MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),主要应用于高压和高功率场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:该型号MOSFET适用于各种开关电源(SMPS)设计,包括AC-DC转换器、DC-DC转换器等。它能够高效地进行电压转换,提供稳定的输出电压,同时减少能量损耗。 2. 电机驱动:在工业自动化和消费电子领域中,IXFH44N50Q3可用于驱动直流电机、步进电机和无刷电机。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高电机控制系统的效率和响应速度。 3. 太阳能逆变器:随着可再生能源的发展,太阳能发电系统日益普及。IXFH44N50Q3可以用于太阳能逆变器中的功率转换部分,将光伏板产生的直流电转换为交流电并接入电网或供家庭使用。 4. 不间断电源(UPS):在数据中心、通信基站等关键设施中,UPS是保障电力供应连续性的核心设备。IXFH44N50Q3凭借其优异的电气性能,可以在UPS系统中承担重要的功率调节任务。 5. 电动汽车(EV)及混合动力汽车(HEV):这类车辆对电池管理和电驱系统的效率要求极高。IXFH44N50Q3由于具备出色的耐压能力和较低的传导损耗,在车载充电器、DC-DC变换器以及牵引逆变器等组件中有广泛的应用前景。 6. 高频焊接与感应加热:在金属加工行业中,利用电磁感应原理实现非接触式加热是一种常见的工艺方法。IXFH44N50Q3能够在这些应用中提供高效的功率传输,确保加热过程的安全性和精度。 总之,IXFH44N50Q3凭借其卓越的技术参数,在众多需要高效能功率转换和控制的领域展现出色的表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 44A TO-247MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 44 A |
| Id-连续漏极电流 | 44 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFH44N50Q3HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFH44N50Q3 |
| Pd-PowerDissipation | 830 W |
| Pd-功率耗散 | 830 W |
| Qg-GateCharge | 93 nC |
| Qg-栅极电荷 | 93 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 140 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 140 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 250 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 6.5V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 93nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 140 毫欧 @ 22A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AD (IXFH) |
| 功率-最大值 | 830W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | HiPerFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 140 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 30 |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 44 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/ixys-q3-class-hiperfet-power-mosfet/1012 |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 44A (Tc) |
| 系列 | IXFH44N50 |
| 配置 | Single |