ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > PMBT3904VS,115
Datasheet下载- 型号： PMBT3904VS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBT3904VS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBT3904VS,115价格参考￥0.22-￥0.24。NXP SemiconductorsPMBT3904VS,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 40V 200mA 300MHz 360mW Surface Mount SOT-666。您可以下载PMBT3904VS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMBT3904VS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMBT3904VS,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 NPN 双极结型晶体管（BJT）阵列器件，属于小信号晶体管，常用于低功率开关和放大应用。该器件采用 SOT363 小型封装，集成两个独立的 3904 类型晶体管，适合空间受限的高密度电路设计。 典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备：由于其小型化封装和低功耗特性，广泛应用于智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的信号切换与电平转换电路。 2. 电源管理电路：用于 LED 驱动、DC-DC 转换器的控制开关或负载开关，实现高效的电源通断控制。 3. 逻辑电路接口：在数字系统中作为逻辑门之间的缓冲或驱动级，提升信号驱动能力，适用于微控制器与外围器件的接口电路。 4. 传感器信号调理：用于放大或开关来自温度、光强等传感器的小信号，提高系统响应精度。 5. 通信模块：在无线模块（如蓝牙、Wi-Fi 模组）中用于射频前端控制信号的开关和放大。 6. 消费类电子产品：如电视、机顶盒、遥控器等设备中的继电器驱动、音频信号处理和按键扫描电路。 PMBT3904VS,115 具有高增益、快速开关速度和良好的热稳定性，工作温度范围宽（-55°C 至 150°C），适用于工业和消费级应用环境。其一致性好、可靠性高，是中小功率模拟与数字电路中的常用元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 40V 200MA SOT666两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMBT3904VS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMBT3904VS,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-6488-2 |
| 功率-最大值 | 360mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 240 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 200 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 60 at 0.1 mA at 1 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 180 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极连续电流 | 200 mA |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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