ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > DMMT5401-7-F
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMMT5401-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMMT5401-7-F价格参考。Diodes Inc.DMMT5401-7-F封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair 150V 200mA 300MHz 300mW Surface Mount SOT-26。您可以下载DMMT5401-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMMT5401-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMMT5401-7-F是Diodes Incorporated生产的一款双极结型晶体管(BJT)阵列,内部集成了两个PNP型晶体管,常用于小信号放大和开关应用。该器件采用SOT-23封装,体积小巧,适合高密度贴装的便携式电子设备。 典型应用场景包括: 1. 电源管理电路:用于负载开关、电平转换和电源通断控制,因其低饱和压降和良好开关特性,有助于提升能效。 2. 信号切换与逻辑电路:在数字电路中作为反相器或驱动单元,实现信号的放大与整形,适用于微控制器接口电路。 3. 消费类电子产品:广泛应用于手机、平板、可穿戴设备中的LED驱动、传感器信号调理等模块。 4. 工业控制与通信设备:用于继电器驱动、小功率音频放大及数据线路保护电路中,提供稳定可靠的开关性能。 DMMT5401-7-F具有高增益、低漏电流和良好的热稳定性,工作温度范围宽(-55°C至+150°C),适合严苛环境下的使用。其匹配的晶体管对设计也便于差分放大或推挽输出结构的应用,提升电路一致性与可靠性。总体而言,该型号是一款高性能、低成本的通用型双晶体管阵列器件,适用于多种中低频模拟与数字电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 150V 200MA SOT26两极晶体管 - BJT MATCHED PNP SM SIGNAL TRANS |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated DMMT5401-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMMT5401-7-F |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 10mA,5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-26 |
| 其它名称 | DMMT5401-FDICT |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SOT-26 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP(双)配对 |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 150V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 50 |
| 系列 | DMMT5401 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 150 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 160 V |
| 频率-跃迁 | 300MHz |