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  • 型号: SIA931DJ-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIA931DJ-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIA931DJ-T1-GE3价格参考。VishaySIA931DJ-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 4.5A 7.8W 表面贴装 PowerPAK® SC-70-6 双。您可以下载SIA931DJ-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIA931DJ-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6LMOSFET -30V 65mOhm@-10V -4.5A P-CH

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)

Id-连续漏极电流

4.5 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIA931DJ-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SIA931DJ-T1-GE3SIA931DJ-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

7.8 W

Pd-功率耗散

7.8 W

Qg-GateCharge

8.5 nC

Qg-栅极电荷

8.5 nC

RdsOn-漏源导通电阻

77 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 2.2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 2.2 V

上升时间

18 ns

下降时间

5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

445pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

65 毫欧 @ 3A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SC-70-6 双

其它名称

SIA931DJ-T1-GE3DKR

典型关闭延迟时间

17 ns

功率-最大值

7.8W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

商标名

TrenchFETr

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

77 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SC-70-6 双

封装/箱体

SC-70-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

8 S

汲极/源极击穿电压

- 30 V

漏极连续电流

4.5 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.5A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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