Datasheet下载- 型号： ZDT694TA
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZDT694TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZDT694TA价格参考。Diodes Inc.ZDT694TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZDT694TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZDT694TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZDT694TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款双极型晶体管 (BJT) 阵列，属于晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列类别。该器件具有多个独立的 BJT 单元，广泛应用于需要高精度、低功耗和高性能的电路设计中。以下是 ZDT694TA 的主要应用场景： 1. 信号放大 - ZDT694TA 可用于音频、射频或其他信号的放大电路中，提供稳定的增益性能。 - 在多通道音频设备中，其阵列结构允许同时处理多个信号通道。 2. 开关应用 - 作为电子开关，ZDT694TA 可用于数字电路中的逻辑电平转换或信号隔离。 - 在电源管理模块中，可用于控制低功率负载的通断。 3. 恒流源/恒压源 - 利用其高精度特性，ZDT694TA 可构建恒流源或恒压源电路，适用于 LED 驱动、传感器供电等场景。 4. 运算放大器补偿 - 在精密运放电路中，ZDT694TA 可用于温度补偿或负载平衡，提高整体电路的稳定性。 5. 保护电路 - 用于过流保护、短路保护等场合，通过快速响应切断异常电流路径，保护系统其他组件。 6. 便携式设备 - 因其低功耗和小型化封装特点，适合应用于手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中。 7. 工业控制 - 在工业自动化领域，可用于驱动继电器、小型电机或其他执行机构。 8. 通信设备 - 在通信模块中，ZDT694TA 可用于信号调制、解调及滤波等关键环节。 特性优势： - 高集成度：阵列结构减少 PCB 空间占用，简化设计。 - 低噪声：适合对信号质量要求较高的应用。 - 宽工作范围：适应多种电压和电流条件。 综上，ZDT694TA 凭借其优异的性能和灵活性，成为消费电子、工业控制、通信等领域中不可或缺的元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 120V 500MA 8SM两极晶体管 - BJT Dual NPN Medium Power |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZDT694TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZDT694TA |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 5mA，400mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 400 @ 200mA，2V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SM8 |
| 其它名称 | ZDT694TA-ND |
| 功率-最大值 | 2.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 130 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-223-8 |
| 封装/箱体 | SM-8 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 2.75 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 120V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 500 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 500 at 100 mA at 2 V, 400 at 200 mA at 2 V, 150 at 400 mA at 2 V |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 120 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 120 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 频率-跃迁 | 130MHz |
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