ICGOO在线商城 > 集成电路（IC） > PMIC - 栅极驱动器 > MC34151DR2G
Datasheet下载- 型号： MC34151DR2G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MC34151DR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MC34151DR2G价格参考￥5.77-￥7.59。ON SemiconductorMC34151DR2G封装/规格：PMIC - 栅极驱动器， Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC。您可以下载MC34151DR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MC34151DR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MC34151DR2G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款高性能栅极驱动器，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制及功率因数校正（PFC）电路等场景。该器件适用于需要高效驱动MOSFET或IGBT的系统，尤其适合在中高功率电源设计中使用。 典型应用包括： 1. 开关电源（SMPS）：用于计算机、服务器、工业电源和电信设备中的PWM控制器输出级，驱动功率开关管，提高转换效率和系统稳定性。 2. DC-DC转换器：在降压（Buck）、升压（Boost）或半桥拓扑结构中，提供快速、可靠的栅极驱动信号，确保开关速度与低损耗。 3. 电机驱动：适用于小型电机控制电路，如风扇、泵类设备，支持高频开关操作，提升响应速度与能效。 4. PFC电路：在有源功率因数校正模块中，配合控制器驱动升压变换器中的MOSFET，改善输入电流波形，满足能效标准。 MC34151DR2G采用SOIC-8封装，具备良好的抗噪声能力和温度稳定性，内置高低侧驱动通道，支持自举供电，适合半桥或推挽结构。其高电流输出能力（拉电流达1.7A，灌电流达2A）可有效缩短开关时间，降低开关损耗。同时，该器件具有欠压锁定（UVLO）保护功能，增强系统可靠性。 由于其高集成度、稳定性能和工业级工作温度范围，MC34151DR2G广泛用于工业自动化、消费电子、通信电源及绿色能源等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC MOSFET DRIVER DUAL HS 8-SOIC门驱动器 1.5A High Speed Dual Inverting MOSFET |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关集成电路 - IC |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 电源管理 IC,门驱动器,ON Semiconductor MC34151DR2G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MC34151DR2G |
| 上升时间 | 31 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 产品种类 | 门驱动器 |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | MC34151DR2GOSCT |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 延迟时间 | 35ns |
| 最大功率耗散 | 560 mW |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 标准包装 | 1 |
| 激励器数量 | 2 Driver |
| 电压-电源 | 6.5 V ~ 18 V |
| 电流-峰值 | 1.5A |
| 电源电压-最小 | 6.5 V |
| 电源电流 | 10.5 mA |
| 类型 | High Speed |
| 系列 | MC33151 |
| 输入类型 | 反相 |
| 输出数 | 2 |
| 输出端数量 | 2 |
| 配置 | Inverting |
| 配置数 | 2 |
| 高压侧电压-最大值（自举） | - |
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