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型号： BSZ019N03LSATMA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BSZ019N03LSATMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSZ019N03LSATMA1价格参考。InfineonBSZ019N03LSATMA1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 30V 22A（Ta）. 40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL。您可以下载BSZ019N03LSATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BSZ019N03LSATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies 的 BSZ019N03LSATMA1 是一款N沟道功率MOSFET，属于高性能沟槽型MOSFET，具有低导通电阻（RDS(on)）和优异的开关性能。该器件广泛应用于对效率和空间要求较高的电源管理系统中。

主要应用场景包括：  
1. DC-DC转换器：适用于服务器、通信设备和工业电源中的降压（Buck）、升压（Boost）及同步整流电路，因其低导通损耗可显著提升转换效率。  
2. 电池管理系统（BMS）：用于电动工具、电动自行车及便携式设备中的电池保护与充放电控制，支持高电流开关，有助于延长电池寿命。  
3. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机驱动电路中作为开关元件，适用于家电、无人机和工业自动化设备。  
4. 负载开关与热插拔设计：用于控制电源通断，防止浪涌电流，常见于电信设备和嵌入式系统。  
5. LED照明驱动：在高亮度LED恒流驱动电路中实现高效调光与开关控制。

该MOSFET采用PG-TSDS-6封装，体积小，适合高密度PCB布局，同时具备良好的热性能。其30V耐压和低栅极电荷特性，使其在高频开关应用中表现优异，有助于减小外围元件尺寸并提升系统整体能效。

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