Datasheet下载- 型号： SSVBC846BPDW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSVBC846BPDW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSVBC846BPDW1T1G价格参考。ON SemiconductorSSVBC846BPDW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSVBC846BPDW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSVBC846BPDW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS ARRAY NPN/PNP 65V SOT363两极晶体管 - BJT SS DUAL GEN XSTR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor SSVBC846BPDW1T1G* |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SSVBC846BPDW1T1G |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V, 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 最大功率耗散 | 250 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 100 mA, 100 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 475 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | SSVBC846BPDW1T1G |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | -65 V, 65 V |
| 集电极—基极电压VCBO | -80 V, 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.3 V, 0.25 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
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