ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > BFG520W/X,115
Datasheet下载- 型号： BFG520W/X,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFG520W/X,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFG520W/X,115价格参考。NXP SemiconductorsBFG520W/X,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 15V 70mA 9GHz 500mW Surface Mount 4-SO。您可以下载BFG520W/X,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFG520W/X,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BFG520W/X,115 是 NXP USA Inc. 生产的一款射频双极结型晶体管（RF BJT），主要用于高频放大应用。该器件基于先进的硅锗碳（SiGe:C）技术，具备优异的高频性能和高可靠性，适用于工作频率高达几GHz的场景。 典型应用场景包括： 1. 无线通信基础设施：用于基站的低噪声放大器（LNA）或驱动放大器，支持GSM、UMTS、LTE等移动通信标准。 2. 微波与射频模块：在点对点微波链路、毫米波回传系统中提供稳定的增益和线性度。 3. 宽带射频放大器：适用于需要宽频带响应的设备，如测试仪器、广播设备中的射频前端。 4. 工业与国防电子：用于雷达系统、远程传感器和专用无线电设备中的小信号放大。 BFG520W/X,115 采用SOT343封装，尺寸紧凑，适合高密度PCB布局，同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力。其高增益、低噪声系数和出色的线性表现，使其在要求严苛的射频环境中表现出色。此外，该器件兼容无铅焊接工艺，符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品制造。 综上，BFG520W/X,115 是面向高性能射频系统的理想选择，广泛应用于通信、工业和专用电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 70MA 15V 9GHZ SOT343N射频双极晶体管 NPN 70MA 15V 9GHZ |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,NXP Semiconductors BFG520W/X,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BFG520W/X,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 20mA，6V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | 4-SO |
| 其它名称 | 568-1645-6 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 2.5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-343 反向插针 |
| 封装/箱体 | SOT-343 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大工作频率 | 9000 MHz |
| 最大直流电集电极电流 | 0.07 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 70mA |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 集电极连续电流 | 0.07 A |
| 零件号别名 | BFG520W/X T/R |
| 频率 | 9000 MHz |
| 频率-跃迁 | 9GHz |
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