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Datasheet下载- 型号： PBSS4230PANP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PBSS4230PANP,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4230PANP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4230PANP,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4230PANP,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array NPN，PNP 30V 2A 120MHz 510mW 表面贴装 6-HUSON-EP（2x2）。您可以下载PBSS4230PANP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS4230PANP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS4230PANP,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极性晶体管（BJT）阵列，采用 SOT-1118（DFN2020-6）小型无引线封装，内含两个独立的 NPN 晶体管，具有高增益（hFE 典型值 300 @ IC = 10 mA）、低饱和压降（VCE(sat) 低至 0.14 V @ IC = 100 mA）、高开关速度及良好热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ 中小功率开关控制：如 LED 背光驱动、RGB 灯组分段调光、继电器/蜂鸣器驱动等，双通道设计便于紧凑布局与协同控制； ✅ 数字逻辑电平转换与信号缓冲：在 MCU（如 ARM Cortex-M 系列）I/O 口驱动能力不足时，用作 GPIO 扩展缓冲或 3.3 V ↔ 5 V 电平接口； ✅ 电源管理辅助电路：用于负载开关、电池充放电状态指示、电源路径选择中的使能控制（EN/CTRL 信号放大）； ✅ 工业与消费类嵌入式系统：如智能电表、传感器模块、打印机驱动板、家电主控板中，替代分立晶体管以节省 PCB 面积并提升可靠性。 该器件符合 AEC-Q100（Grade 2）标准，具备一定车规级可靠性，亦适用于对尺寸、功耗和一致性要求较高的便携设备与IoT终端。需注意其最大集电极电流为 300 mA（单管），不适用于大功率放大或高频射频场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 30V 2A 6HUSON两极晶体管 - BJT 30V 2A NPN/PNP lo VCEsat transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4230PANP,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS4230PANP,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 290mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 1A，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-10202-1 |
| 功率-最大值 | 510mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 120 MHz, 95 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 1450 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-double-transistors-dfn2020-6/3762 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 380, 370 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 250, 260 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 60 mV, - 75 mV |
| 集电极连续电流 | 2 A |
| 频率-跃迁 | 120MHz |
