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Datasheet下载- 型号： PBSS4230PANP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PBSS4230PANP,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4230PANP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4230PANP,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4230PANP,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array NPN，PNP 30V 2A 120MHz 510mW 表面贴装 6-HUSON-EP（2x2）。您可以下载PBSS4230PANP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS4230PANP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS4230PANP,115是Nexperia USA Inc.生产的一款双极结型晶体管（BJT）阵列，属于SOT1122封装的双NPN晶体管器件。该器件具有高电流增益、低饱和电压和良好的热稳定性，适用于需要高效开关和信号放大的电路设计。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理电路：用于DC-DC转换器、负载开关或电源使能控制，凭借低导通损耗提升能效； 2. LED驱动：在便携式设备或背光系统中作为恒流源或开关元件，实现稳定亮度控制； 3. 逻辑缓冲与电平转换：在数字电路中用于增强信号驱动能力或实现不同电压域之间的接口匹配； 4. 电机驱动模块：作为预驱级晶体管，控制小型直流电机或步进电机的启停与方向； 5. 消费类电子产品：广泛应用于智能手机、平板电脑、智能家居设备中的信号切换与功率控制； 6. 工业控制与传感器接口：用于放大传感器微弱信号或驱动继电器等执行元件。 该器件因集成两个匹配良好的NPN晶体管，特别适合差分放大、推挽输出等需要对称性能的电路结构。其紧凑的SOT1122封装节省PCB空间，适用于高密度贴装需求，同时具备良好的可靠性和批量一致性，适合自动化生产和长期运行环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 30V 2A 6HUSON两极晶体管 - BJT 30V 2A NPN/PNP lo VCEsat transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4230PANP,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS4230PANP,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 290mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 1A，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-10202-1 |
| 功率-最大值 | 510mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 120 MHz, 95 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 1450 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-double-transistors-dfn2020-6/3762 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 380, 370 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 250, 260 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 60 mV, - 75 mV |
| 集电极连续电流 | 2 A |
| 频率-跃迁 | 120MHz |
