ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > BC846AS-7
Datasheet下载- 型号： BC846AS-7
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC846AS-7由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC846AS-7价格参考。Diodes Inc.BC846AS-7封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 65V 100mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363。您可以下载BC846AS-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC846AS-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC846AS-7是Diodes Incorporated生产的一款双极结型晶体管（BJT）阵列，属于NPN型小信号晶体管。该器件采用SOT-23封装，集成两个独立的BC846A晶体管，具有高增益、低噪声和良好的开关特性，适用于空间受限的高性能电路设计。 其典型应用场景包括： 1. 信号放大：常用于音频、传感器或微弱信号的前置放大电路，因其高增益和低失真特性，可有效提升信号质量。 2. 开关电路：广泛应用于数字逻辑电路、驱动LED、继电器或小型负载的开关控制，响应速度快，功耗低。 3. 电源管理：在DC-DC转换器、电压调节模块中作为控制开关或电平转换元件，提高系统效率。 4. 通信设备：用于射频前端或接口电路中的信号调制与处理，适合便携式无线设备。 5. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，用于各类小信号处理和电源控制功能。 BC846AS-7具有稳定的温度性能和可靠的制造工艺，适合自动化贴装，广泛应用于工业控制、汽车电子（非动力系统）、家用电器和便携式电子设备中。其小型封装和高集成度使其成为高密度PCB设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 65V 100MA SOT363两极晶体管 - BJT 100mA 65V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated BC846AS-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC846AS-7 |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 110 @ 2mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | BC846AS7 |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz (Min) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 65V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 15nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 220 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 110 |
| 系列 | BC846A |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 65 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 200 mV |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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