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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供EMZ1T2R由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMZ1T2R价格参考¥0.81-¥1.51。ROHM SemiconductorEMZ1T2R封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载EMZ1T2R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有EMZ1T2R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的EMZ1T2R是一款双极性晶体管(BJT)阵列,其主要应用场景包括信号切换、放大和驱动等。以下是该型号的一些具体应用领域: 1. 信号切换与控制:EMZ1T2R适用于需要多路信号切换的场合,例如音频设备中的通道切换、传感器信号的选通或数据采集系统的多路复用。由于其为阵列结构,能够同时控制多个信号路径。 2. 小信号放大:在低功率电路中,该器件可以用于对微弱信号进行放大,如音频前置放大器、无线通信中的射频信号放大等场景。其高增益特性有助于提升信号质量。 3. 逻辑电平转换:在混合电压系统中(如3.3V与5V之间的接口),EMZ1T2R可以用作电平转换器,实现不同逻辑电平间的信号传递。 4. 驱动应用:该晶体管阵列适合驱动小型负载,例如LED指示灯、继电器线圈或其他低功耗元件。通过调整基极电流,可精确控制输出状态。 5. 电源管理辅助电路:在一些便携式设备中,EMZ1T2R可用于构建简单的稳压电路或保护电路,以确保关键组件正常工作。 6. 脉冲调制与生成:利用其开关特性,该器件还可以参与生成PWM波形,应用于电机速度控制、亮度调节等功能。 总之,EMZ1T2R凭借其紧凑的设计和高性能参数,在消费电子、工业自动化、医疗仪器以及汽车电子等领域均有广泛的应用潜力。选择时需根据实际需求考虑工作频率、功耗及散热条件等因素。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN/PNP 50V 150MA 6EMT两极晶体管 - BJT NPN/PNP 50V 150MA |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor EMZ1T2R- |
数据手册 | |
产品型号 | EMZ1T2R |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 1mA,6V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | EMT6 |
其它名称 | EMZ1T2RCT |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | + 7 V, - 6 V |
商标 | ROHM Semiconductor |
增益带宽产品fT | 140 MHz, 180 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | EMT-6 |
工厂包装数量 | 8000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | NPN,PNP |
最大功率耗散 | 150 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 150mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
直流电流增益hFE最大值 | 560 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V, + 50 V |
集电极—基极电压VCBO | - 60 V, + 60 V |
集电极连续电流 | + 150 mA / - 150 mA |
频率-跃迁 | 180MHz,140MHz |