Datasheet下载- 型号： PBSS4130PANP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4130PANP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4130PANP,115价格参考￥0.63-￥0.64。NXP SemiconductorsPBSS4130PANP,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBSS4130PANP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS4130PANP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的型号为 PBSS4130PANP,115 的双极晶体管 (BJT) 阵列，主要用于以下应用场景： 1. 信号放大 - BJT 阵列可用于音频和射频信号的放大。由于其高增益特性，适合在低功率信号处理中实现信号增强。 - 应用实例：耳机放大器、麦克风前置放大器。 2. 开关控制 - 这种晶体管阵列可以用作电子开关，用于控制负载（如 LED、小型电机或继电器）的通断。 - 应用实例：LED 显示屏驱动、步进电机控制。 3. 电源管理 - 在电源管理系统中，该 BJT 阵列可以作为电流调节器或电压调节器的一部分，确保稳定的输出。 - 应用实例：低压差线性稳压器 (LDO)、电池充电电路。 4. 多路复用与解复用 - 利用 BJT 阵列的多个独立通道，可以在多路复用器或解复用器中实现信号的选择与切换。 - 应用实例：数据采集系统、传感器信号切换。 5. 保护电路 - 该器件可用于过流保护、短路保护等场景，通过快速响应切断异常电流路径。 - 应用实例：USB 端口保护、汽车电子中的负载保护。 6. 高频应用 - 虽然 BJT 的频率特性不如 MOSFET，但在某些中低频应用中仍可胜任，例如 AM/FM 收音机的调谐电路。 - 应用实例：无线通信模块、遥控器接收端。 7. 消费电子 - 适用于各种消费电子产品中的小型化设计，如智能手机配件、智能家居设备和便携式音频设备。 总结 PBSS4130PANP,115 的紧凑封装和高性能使其成为需要多通道、高效能晶体管解决方案的理想选择。其典型应用场景包括信号放大、开关控制、电源管理以及保护电路等领域，广泛应用于消费电子、工业自动化和通信设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 30V 1A 6HUSON两极晶体管 - BJT 30V 1A NPN/NPN lo VCEsat transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4130PANP,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS4130PANP,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 210 @ 500mA， 2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-10198-1 |
| 功率-最大值 | 510mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 165 MHz, 125 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 1450 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-double-transistors-dfn2020-6/3762 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 370, 350 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 240, 250 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 75 mV, - 85 mV |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 165MHz |
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