Datasheet下载- 型号： PBSS4130PANP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4130PANP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4130PANP,115价格参考￥0.63-￥0.64。NXP SemiconductorsPBSS4130PANP,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBSS4130PANP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS4130PANP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS4130PANP,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极性晶体管（BJT）阵列，采用 SOT-1205（2×2 mm）小型封装，内含两个独立的 NPN 晶体管，具备高增益（hFE 典型值 300@IC=10 mA）、低饱和压降（VCE(sat) ≤ 150 mV @ IC=100 mA, IB=10 mA）及30 V集电极-发射极击穿电压（VCEO）。其紧凑设计与良好热性能适用于空间受限、中低功率场景。 典型应用场景包括： 1. LED驱动电路——用于手机背光、RGB指示灯或小型显示屏的恒流/开关控制； 2. 逻辑电平转换与信号缓冲——在MCU（如ARM Cortex-M系列）与外围器件间实现5V/3.3V/1.8V电平适配与驱动增强； 3. 电源管理中的负载开关与使能控制——如为传感器、通信模块（BLE/Wi-Fi）提供受控供电通路； 4. 工业与消费类电子中的小功率开关应用——如继电器驱动、蜂鸣器驱动、电机（微型直流风扇）启停控制等； 5. 电池供电设备的节能设计——得益于低饱和压降和微安级基极电流需求，可降低系统功耗，延长续航。 该器件符合AEC-Q100标准（车规级），亦可用于车载信息娱乐系统中的非安全相关信号处理。其双通道结构节省PCB面积，简化布局，适合高密度贴片组装。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 30V 1A 6HUSON两极晶体管 - BJT 30V 1A NPN/NPN lo VCEsat transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4130PANP,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS4130PANP,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 210 @ 500mA， 2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-10198-1 |
| 功率-最大值 | 510mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 165 MHz, 125 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 1450 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-double-transistors-dfn2020-6/3762 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 370, 350 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 240, 250 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 75 mV, - 85 mV |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 165MHz |
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