ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > FDS9926A
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Datasheet下载- 型号： FDS9926A
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS9926A由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS9926A价格参考。Fairchild SemiconductorFDS9926A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 6.5A 900mW 表面贴装 8-SO。您可以下载FDS9926A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS9926A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS9926A是安森美（ON Semiconductor）生产的一款MOSFET阵列产品，属于N沟道功率MOSFET，采用紧凑型封装，适用于高效率、小尺寸的电源管理应用。该器件主要应用于便携式电子设备和电池供电系统中。 典型应用场景包括：智能手机、平板电脑、笔记本电脑等移动设备中的电源开关与负载管理；用于DC-DC转换器电路中，实现高效的电压调节；在热插拔电路和电源多路复用设计中，作为理想二极管或高端开关使用，以降低功耗并提高系统可靠性；还可用于LED背光驱动电路或小型电机控制模块。 FDS9926A具有低导通电阻（Rds(on)）、低栅极电荷和优良的开关性能，有助于提升能效并减少发热，非常适合空间受限且对功耗敏感的设计。其集成双MOSFET结构可在单一封装内实现多种功能，节省PCB面积，简化电路布局。 综上，FDS9926A广泛应用于消费类电子产品、便携式设备及低电压电源管理系统中，尤其适合需要高效、小型化和高集成度解决方案的设计场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 20V 6.5A 8SOICMOSFET SO-8 SGL N-CH 2.5V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS9926APowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS9926A |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 650pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS9926ACT |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 22 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.5A |
| 系列 | FDS9926 |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 零件号别名 | FDS9926A_NL |
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