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Datasheet下载- 型号： UMT1N-TP
- 制造商： MCC
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- 要求：
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UMT1N-TP产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供UMT1N-TP由MCC设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UMT1N-TP价格参考。MCCUMT1N-TP封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 50V 150mA 140MHz 150mW Surface Mount SOT-363。您可以下载UMT1N-TP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有UMT1N-TP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
UMT1N-TP是Micro Commercial Co.生产的一款双极结型晶体管（BJT）阵列器件，属于晶体管-双极（BJT）-阵列类别。该器件内部集成了两个独立的NPN型晶体管，采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度贴装应用。 UMT1N-TP广泛应用于便携式电子设备和消费类电子产品中，常见使用场景包括：信号放大电路、开关控制电路、逻辑电平转换、LED驱动、音频前置放大以及小型继电器或蜂鸣器的驱动等。由于其具备良好的开关特性和增益性能，特别适用于低功耗、小电流的数字与模拟电路中，如智能手机、平板电脑、无线模块、电源管理模块及各类嵌入式系统。 此外，UMT1N-TP也常用于接口电路中，实现微控制器与外围设备之间的信号隔离与驱动增强。其小型化封装使其在空间受限的便携设备中具有显著优势。总体而言，UMT1N-TP是一款高可靠性、低成本的通用型双晶体管阵列器件，适用于多种中低频、小功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 50V 150MA SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | Micro Commercial Co |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | UMT1N-TP |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，6V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24932 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | UMT1N-TPMSTR |
| 其它图纸 |
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| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 140MHz |
