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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4260PAN,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4260PAN,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4260PAN,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PBSS4260PAN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PBSS4260PAN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS4260PAN,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极性晶体管(BJT)阵列,采用 SOT-1205(DFN2020-6)小型封装,内含两个独立的 NPN 晶体管,具备高增益(hFE 典型值 300@IC=10mA)、低饱和压降(VCE(sat) 最大 0.15V@IC=100mA, IB=10mA)及60V VCEO额定电压。其主要应用场景包括: 1. 中小功率开关控制:广泛用于消费电子(如电视、机顶盒、打印机)中的LED背光驱动、继电器/蜂鸣器驱动及电源使能信号切换; 2. 逻辑电平转换与信号缓冲:在MCU或FPGA输出驱动能力不足时,作为电平移位与电流放大级,适配5V/3.3V系统接口; 3. H桥预驱或半桥驱动电路:配合MOSFET构成低压直流电机(如风扇、小功率步进电机)的简易驱动单元; 4. 传感器信号调理前端:用于光电开关、霍尔传感器等弱信号的整形与放大输出; 5. 空间受限的便携设备:得益于0.65mm超薄DFN封装和双通道集成,适用于TWS耳机充电仓、可穿戴设备等对PCB面积和厚度敏感的设计。 该器件支持无铅回流焊,符合AEC-Q100 Grade 1(可选车规版本),亦可用于工业控制板卡等可靠性要求较高的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 60V 2A 6HUSON两极晶体管 - BJT 60V 2A NPN/PNP lo VCEsat transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4260PAN,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS4260PAN,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 90mV @ 50mA,500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 1A,2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON(2X2) |
| 其它名称 | 568-10203-2 |
| 功率-最大值 | 510mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 140 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN(双) |
| 最大功率耗散 | 1450 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-double-transistors-dfn2020-6/3762 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 直流电流增益hFE最大值 | 430 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 290 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 70 mV |
| 集电极连续电流 | 2 A |
| 频率-跃迁 | 140MHz |