ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > SMMBT3904TT1G
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SMMBT3904TT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMMBT3904TT1G价格参考¥0.37-¥2.81。ON SemiconductorSMMBT3904TT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 40V 200mA 300MHz 300mW 表面贴装 SC-75,SOT-416。您可以下载SMMBT3904TT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SMMBT3904TT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor生产的SMMBT3904TT1G是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于通用小信号晶体管,广泛应用于各类电子电路中。其主要应用场景包括:信号放大、开关控制和数字逻辑电路。 在信号放大方面,SMMBT3904TT1G常用于音频放大器、射频前端及传感器信号调理电路中,因其具备良好的电流增益和频率响应特性,适合处理低功率模拟信号。在开关应用中,该器件可用于驱动LED、继电器、小型电机或其他负载,广泛见于消费类电子产品、家用电器和工业控制模块中。此外,在数字电路中,它可作为电平转换或逻辑门驱动元件,实现高速开关功能。 由于采用SOT-23小型封装,SMMBT3904TT1G具有体积小、功耗低的特点,适用于高密度贴装的便携式设备,如智能手机、平板电脑、无线模块和电源管理单元。同时,该型号为无铅环保产品(后缀“G”表示符合RoHS标准),符合现代电子产品对环保与可靠性的要求。 总体而言,SMMBT3904TT1G凭借其高可靠性、良好性价比和广泛的工作稳定性,成为中小功率电子系统中的常用器件,适用于消费电子、通信设备、汽车电子(非关键系统)及工业控制等多种领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN 40V 200MA SOT416两极晶体管 - BJT SS SC75 GP XSTR NPN 60V |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor SMMBT3904TT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | SMMBT3904TT1G |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SC-75,SOT-416 |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 300 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
封装/箱体 | SOT-416 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 300 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 300 |
系列 | SMMBT3904TT1G |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
集电极—基极电压VCBO | 60 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.3 V |
集电极连续电流 | 200 mA |
频率-跃迁 | 300MHz |