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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS123LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS123LT1G价格参考¥0.10-¥0.13。ON SemiconductorBSS123LT1G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 170mA(Ta) 225mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)。您可以下载BSS123LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS123LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSS123LT1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,属于小信号MOSFET,常用于低电压、低功耗的开关和信号处理应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理开关:适用于电池供电设备中的负载开关,如便携式电子产品(智能手机、平板、蓝牙设备等),用于控制电源通断,降低待机功耗。 2. 信号切换与路由:在模拟或数字信号路径中作为高速开关使用,例如音频信号切换、传感器信号选通等。 3. 电平转换电路:常用于不同电压域之间的逻辑电平转换,如将3.3V信号转换为5V信号,广泛应用于微控制器(MCU)、FPGA或接口电路中。 4. 驱动小型负载:可驱动LED、小型继电器或蜂鸣器等低电流负载,适用于消费类电子和工业控制小模块。 5. 高频开关应用:由于其较低的栅极电荷和导通电阻,适合在高频开关电路中使用,如DC-DC转换器中的同步整流或驱动级。 6. 保护电路:用于反向电流阻断或过流保护电路,提升系统可靠性。 BSS123LT1G采用SOT-23封装,体积小,适合高密度贴装,广泛应用于消费电子、通信设备、汽车电子(非动力系统)及工业控制等领域。其稳定性和性价比使其成为众多设计中的常用器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23MOSFET 100V 170mA N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 170 mA |
| Id-连续漏极电流 | 170 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor BSS123LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSS123LT1G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.225 W |
| Pd-功率耗散 | 225 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 20pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 欧姆 @ 100mA,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | BSS123LT1GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 功率耗散 | 0.225 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 6 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.08 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 170 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 170mA (Ta) |
| 系列 | BSS123L |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |