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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ZHB6718TA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZHB6718TA价格参考。Diodes Inc.ZHB6718TA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ZHB6718TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ZHB6718TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ZHB6718TA是Diodes公司推出的一款双极型晶体管(BJT)阵列器件,主要应用于需要高效、稳定晶体管开关或放大功能的电子电路中。该器件采用多个晶体管集成在一个封装中的阵列结构,有助于减少PCB空间占用,提高系统集成度。 典型应用场景包括: 1. 电源管理电路:用于DC-DC转换器、负载开关或电源控制模块中,实现高效能电能管理。 2. 电机驱动与继电器控制:在工业自动化设备中,作为驱动电机、继电器或电磁阀的开关元件。 3. LED驱动电路:用于LED显示屏或照明系统的电流控制与开关驱动。 4. 逻辑电路与接口电路:用于数字系统中实现电平转换、信号缓冲或逻辑控制功能。 5. 汽车电子系统:如车身控制模块、车灯驱动或传感器信号处理电路,因其封装可靠、性能稳定,适合车载环境。 6. 消费类电子产品:如打印机、扫描仪、家用电器等设备中的控制与驱动电路。 ZHB6718TA具备良好的热稳定性和较高的电流承载能力,适用于中低功率应用,且支持表面贴装工艺,便于自动化生产。具体使用时需参考其数据手册,确保符合设计参数与安全规范。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS QUAD NPN/PNP 20V SOT223两极晶体管 - BJT H-Bridge-20V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZHB6718TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZHB6718TA |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 200mV @ 50mA,2.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2A,2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | ZHB6718 |
| 其它图纸 |
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| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 140 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-223-8 |
| 封装/箱体 | SM-8 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN + 2 个 PNP(H 桥) |
| 最大功率耗散 | 2000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 20V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 2.5A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100µA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 10 mA at 2 V at NPN, 300 at 100 mA at 2 V at NPN, 200 at 2 A at 2 V at NPN, 300 at 10 mA at 2 V at PNP, 300 at 100 mA at 2 V at PNP, 150 at 2 A at 2 V at PNP, 35 at 4 A at 2 V at PNP |
| 配置 | Quad |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 20 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 130 mV |
| 集电极连续电流 | 2.5 A |
| 频率-跃迁 | 140MHz |