ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FQB30N06LTM
Datasheet下载- 型号： FQB30N06LTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB30N06LTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB30N06LTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB30N06LTM封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 32A（Tc） 3.75W（Ta），79W（Tc） D²PAK（TO-263AB）。您可以下载FQB30N06LTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB30N06LTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB30N06LTM是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于单MOSFET器件。其主要参数包括30A的连续漏极电流和60V的漏源电压，导通电阻低至0.027Ω（典型值），适合大电流、高效率的应用场景。 该型号广泛应用于电源管理和功率开关领域，常见使用场景包括：直流电机驱动（如电动工具、电动车窗、风扇等）、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及电池供电设备中的负载开关。由于其低导通电阻和高效能特性，有助于减少能量损耗和发热，提升系统整体效率。 此外，FQB30N06LTM采用TO-263（D²PAK）贴片封装，具有良好的热性能和可靠性，适用于需要自动化贴片生产的工业控制、汽车电子（如车载电源模块）和消费类电子产品中。在汽车应用中，它可用于车身控制模块、车灯控制或小型电机驱动，满足AEC-Q101车规认证要求，具备较强的环境适应能力。 总之，FQB30N06LTM是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于中低压、大电流的开关与驱动场合，尤其适合对效率和散热有较高要求的工业及汽车电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 32A D2PAKMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 32 A |
| Id-连续漏极电流 | 32 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB30N06LTMQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQB30N06LTM |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.75 W |
| Pd-功率耗散 | 3.75 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 35 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 210 ns |
| 下降时间 | 110 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1040pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263（D2Pak） |
| 其它名称 | FQB30N06LTMCT |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 35 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 24 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 32 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 32A |
| 系列 | FQB30N06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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