Datasheet下载- 型号： BC856BS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC856BS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC856BS,115价格参考￥0.16-￥0.16。NXP SemiconductorsBC856BS,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BC856BS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC856BS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC856BS,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款双极型晶体管（BJT）阵列，广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 信号放大 - BC856BS,115 可用于音频信号、射频信号或其他低功率信号的放大。由于其具有良好的增益特性，适合在音频设备、通信系统或传感器信号调理电路中作为放大器使用。 2. 开关电路 - 在数字电路中，该晶体管可以用作开关元件。例如，在继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制等应用中，它能够高效地实现电流切换功能。 3. 电源管理 - 该型号可用于简单的稳压电路或限流电路中。通过与电阻和二极管配合，可以设计出低成本的直流电源管理系统。 4. 传感器接口 - 在传感器信号处理中，BC856BS,115 能够将微弱的模拟信号进行放大或转换为数字信号，适用于温度传感器、压力传感器等设备。 5. 脉冲调制 - 该晶体管适合用于生成和调节脉冲信号，如 PWM（脉宽调制）电路。这在电机速度控制、灯光亮度调节等领域非常常见。 6. 射频应用 - 尽管 BC856BS,115 主要用于低频电路，但在某些情况下也可以用作射频小信号放大器，适用于无线通信模块中的前置放大阶段。 7. 消费电子产品 - 这类晶体管广泛应用于家用电器、玩具、遥控器和其他便携式设备中，提供稳定的性能和经济实惠的成本。 总结来说，BC856BS,115 是一款通用性强、可靠性高的双极型晶体管阵列，适用于多种低功耗、小信号处理场景，尤其适合需要多通道独立控制的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 65V 100MA 6TSSOP两极晶体管 - BJT GENERAL PURPOSE TRANSISTOR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BC856BS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC856BS,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-8006-6 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-88 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 200 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 65V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 2 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 290 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 65 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极连续电流 | - 100 mA |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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