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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BC847BPDXV6T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC847BPDXV6T1G价格参考。ON SemiconductorBC847BPDXV6T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BC847BPDXV6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC847BPDXV6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC847BPDXV6T1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极型晶体管(BJT)阵列器件,广泛应用于各种电子电路中。该器件内部包含多个NPN或PNP晶体管,具有集成度高、性能稳定、响应速度快等优点。 其主要应用场景包括: 1. 逻辑电平转换与开关控制:适用于数字电路中不同电压域之间的信号转换,以及负载开关控制,如LED驱动、继电器驱动等。 2. 放大电路:可用于音频信号放大、传感器信号调理等低频小信号放大应用。 3. 接口电路:在微控制器与外围设备之间作为缓冲或驱动电路使用,提高系统稳定性和抗干扰能力。 4. 电源管理:用于电源切换、电流检测、负载调节等场合。 5. 工业控制与自动化:广泛应用于PLC、工业仪表、自动化设备中,实现信号处理与控制功能。 该器件采用小型化封装,适合高密度PCB布局,适用于消费电子、汽车电子、通信设备及工业控制等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 45V 100MA SOT563两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual Complementary |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC847BPDXV6T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC847BPDXV6T1G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | BC847BPDXV6T1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 357mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V at NPN, 5 V at PNP |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-563-6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN,PNP |
| 最大功率耗散 | 357 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 系列 | BC847BPDXV6 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 45 V, + 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 50 V, + 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.6 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |