数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FMBM5551由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMBM5551价格参考。Fairchild SemiconductorFMBM5551封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FMBM5551参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FMBM5551 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FMBM5551 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款 NPN 双极结型晶体管(BJT),属于晶体管阵列类别。该器件常用于需要高增益、高频响应的电路设计中,适用于多种电子应用领域。 其典型应用场景包括: 1. 射频(RF)放大电路:FMBM5551具备良好的高频特性,适合用于射频信号放大器,如无线通信设备中的前置放大器。 2. 音频放大器:作为音频信号放大元件,用于音响设备、耳机放大器或麦克风信号调理电路中。 3. 开关电路:由于其快速开关特性,可应用于数字电路中的逻辑开关、继电器驱动或LED控制等场合。 4. 电源管理电路:在DC-DC转换器、稳压电路或负载开关中作为控制元件使用。 5. 传感器接口电路:用于放大传感器输出的小信号,提高信号采集的精度和稳定性。 6. 汽车电子系统:如车载娱乐系统、车身控制模块等,得益于其良好的稳定性和可靠性。 FMBM5551通常采用小型封装,适合高密度PCB布局,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR NPN 160V 600MA SSOT-6两极晶体管 - BJT SSOT6 NPN General Purpose Amplifier |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FMBM5551- |
数据手册 | |
产品型号 | FMBM5551 |
PCN封装 | |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 6-SSOT |
其它名称 | FMBM5551DKR |
功率-最大值 | 700mW |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 36 mg |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
增益带宽产品fT | 300 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
封装/箱体 | Super SOT-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 700 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 160V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 600mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
系列 | FMBM5551 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 160 V |
集电极—基极电压VCBO | 180 V |
零件号别名 | FMBM5551_NL |
频率-跃迁 | 300MHz |