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Datasheet下载- 型号： PBSS4021SN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PBSS4021SN,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4021SN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4021SN,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4021SN,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 7.5A 115MHz 2.3W Surface Mount 8-SO。您可以下载PBSS4021SN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS4021SN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS4021SN,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极性晶体管（BJT）阵列，采用 SOT-363（SC-70-6）小型封装，内含两个独立的 NPN 晶体管，具备高增益（hFE 典型值 200@10mA）、低饱和压降（VCE(sat) 低至 0.14 V@10mA）及 210 MHz 高特征频率（fT），支持高速开关与线性放大应用。 典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS耳机中的LED背光驱动、LED闪光灯控制或多路DC-DC转换器使能信号切换； 2. 接口电平转换与信号调理：在MCU与外围器件（如传感器、显示屏）间实现逻辑电平匹配、信号缓冲或反相驱动； 3. 工业与消费类电子中的多路开关/驱动：如打印机电机控制、继电器/小功率电磁阀驱动、I²C总线缓冲器等； 4. 空间受限的高密度PCB设计：得益于双通道集成与微型封装，可替代两个分立SOT-23晶体管，节省约30%布板面积并降低BOM成本与装配复杂度。 该器件符合AEC-Q100 Grade 3（–40°C 至 +85°C）可靠性标准，亦适用于部分汽车电子辅助系统（如车身控制模块中的非安全关键信号处理）。需注意其最大集电极电流为200 mA/通道，不适用于大功率负载直接驱动。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 20V 7.5A 8SO |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PBSS4021SN,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 275mV @ 375mA，7.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 250 @ 4A，2V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 568-6392-1 |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 7.5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 频率-跃迁 | 115MHz |
