ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > PMP5201Y,115
Datasheet下载- 型号： PMP5201Y,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
PMP5201Y,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMP5201Y,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMP5201Y,115价格参考。NXP SemiconductorsPMP5201Y,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) Matched Pair 45V 100mA 175MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载PMP5201Y,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMP5201Y,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMP5201Y,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款通用型 NPN 双极结型晶体管（BJT），采用 SOT-323（SC-70）小型表面贴装封装，具有低饱和电压（VCE(sat) ≈ 100 mV @ IC=100 mA）、高电流增益（hFE = 180–450 @ IC=10 mA）及最大集电极电流 IC = 200 mA 等特性。其典型应用场景包括： 1. 低功耗开关控制：广泛用于便携式设备（如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）中的LED驱动、蜂鸣器驱动、小功率继电器/负载的通断控制； 2. 信号放大与电平转换：适用于微控制器（MCU）GPIO口扩展、逻辑电平适配（如3.3 V ↔ 5 V系统间接口）、传感器信号预放大等中低频模拟/数字接口电路； 3. 电源管理辅助电路：在DC-DC转换器或LDO稳压电路中用作使能开关、状态指示或反馈环路中的电流检测/隔离元件； 4. 消费电子与工业控制板卡：因SOT-323封装尺寸小（2.0 × 2.1 × 0.9 mm）、热性能稳定，适合高密度PCB布局，常见于家电主控板、IoT模块、智能电表等对空间和可靠性有要求的场景。 该器件不适用于高频射频或大功率开关应用，设计时需注意功耗限制（Ptot ≈ 250 mW）及静电防护（符合IEC 61000-4-2 Level 2）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 45V 100MA 6TSSOP两极晶体管 - BJT MATCHED PAIR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMP5201Y,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMP5201Y,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-6537-1 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 175 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双）配对 |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 2 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 2 mA at 5 V |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 零件号别名 | PMP5201Y T/R |
| 频率-跃迁 | 175MHz |
- 商务部:美国ITC正式对集成电路等产品启动337调查
- 曝三星4nm工艺存在良率问题 高通将骁龙8 Gen1或转产台积电
- 太阳诱电将投资9.5亿元在常州建新厂生产MLCC 预计2023年完工
- 英特尔发布欧洲新工厂建设计划 深化IDM 2.0 战略
- 台积电先进制程称霸业界 有大客户加持明年业绩稳了
- 达到5530亿美元！SIA预计今年全球半导体销售额将创下新高
- 英特尔拟将自动驾驶子公司Mobileye上市 估值或超500亿美元
- 三星加码芯片和SET，合并消费电子和移动部门，撤换高东真等 CEO
- 三星电子宣布重大人事变动 还合并消费电子和移动部门
- 海关总署：前11个月进口集成电路产品价值2.52万亿元 增长14.8%
