数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IMT1AT108由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IMT1AT108价格参考。ROHM SemiconductorIMT1AT108封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IMT1AT108参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IMT1AT108 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor(罗姆半导体)的型号为IMT1AT108的晶体管,属于双极性晶体管(BJT)阵列器件。该器件通常用于需要多个晶体管协同工作的电路设计中,以实现更高的集成度和简化外围电路。 IMT1AT108的典型应用场景包括: 1. 逻辑电平转换电路:在数字电路中,用于将不同电压电平的信号进行转换,适用于接口电路设计。 2. 驱动电路:用于驱动LED、小型继电器、蜂鸣器等负载,尤其适合需要多个晶体管并行工作的场合。 3. 信号放大与处理:在模拟电路中用于小信号的放大,适用于传感器信号处理或音频前置放大等场景。 4. 开关电路:作为低功耗开关元件,广泛应用于电源管理、电池供电设备和便携式电子产品中。 5. 嵌入式系统与工业控制:在微控制器外围电路中作为接口器件,用于控制执行器或读取传感器信号。 该器件采用小型封装,适合高密度PCB布局,具备良好的热稳定性和可靠性,适用于消费电子、汽车电子及工业控制等多个领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS DUAL PNP 50V 150MA 6SMT两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT PNP 50V 0.15A 6PIN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | ROHM Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor IMT1AT108- |
数据手册 | |
产品型号 | IMT1AT108 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 1mA,6V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SMT6 |
其它名称 | IMT1AT108CT |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | - 6 V |
商标 | ROHM Semiconductor |
增益带宽产品fT | 140 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
封装/箱体 | SMT-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | 2 PNP(双) |
最大功率耗散 | 300 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 150mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
直流电流增益hFE最大值 | 560 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V |
集电极—基极电压VCBO | - 60 V |
集电极—射极饱和电压 | - 0.5 V |
集电极连续电流 | - 150 mA |
频率-跃迁 | 140MHz |