ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRLR9343TRPBF
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Datasheet下载- 型号： IRLR9343TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR9343TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR9343TRPBF价格参考￥2.44-￥2.66。International RectifierIRLR9343TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 55V 20A（Tc） 79W（Tc） D-PAK（TO-252AA）。您可以下载IRLR9343TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR9343TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRLR9343TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于需要高效、低导通电阻和快速开关特性的电路中。其应用场景广泛，适用于多种电力电子设备。 1. 电源管理：该器件常用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电池管理系统中。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高电源转换效率，尤其适合低压大电流应用。 2. 电机驱动：在电动工具、家用电器（如吸尘器、洗衣机等）以及工业自动化设备中，IRLR9343TRPBF可用于驱动直流无刷电机（BLDC）和步进电机。其快速开关速度和低损耗特性能够有效提升电机控制的精度和响应速度。 3. 负载开关：在消费电子产品（如智能手机、平板电脑等）中，该MOSFET可以用作负载开关，实现对不同负载的动态供电管理，确保设备在待机或工作状态下的功耗最小化。 4. 保护电路：IRLR9343TRPBF还可用于过流保护、短路保护等安全电路设计中。其内置的体二极管能够在反向电压条件下提供一定的保护功能，防止电路因异常情况而损坏。 5. 信号切换：在通信设备和数据传输系统中，该器件可以作为高速信号切换元件，用于隔离不同的信号路径，确保信号的完整性和可靠性。 6. 汽车电子：在汽车电子领域，如车身控制系统、车载充电器、LED照明等应用中，IRLR9343TRPBF凭借其出色的性能和可靠性，成为理想的功率开关选择。 总之，IRLR9343TRPBF以其卓越的电气性能和广泛的适用性，在众多电力电子应用中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 55V 20A DPAKMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 31nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 20 A |
| Id-连续漏极电流 | - 20 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR9343TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR9343TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 79 W |
| Pd-功率耗散 | 79 W |
| Qg-GateCharge | 31 nC |
| Qg-栅极电荷 | 31 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 170 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 170 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 上升时间 | 24 ns |
| 下降时间 | 9.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 47nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 105 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 79W |
| 功率耗散 | 79 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 170 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极电荷Qg | 31 nC |
| 标准包装 | 6,000 |
| 正向跨导-最小值 | 5.3 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 55 V |
| 漏极连续电流 | - 20 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlru9343.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlru9343.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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