ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 > BC847BS,115
Datasheet下载- 型号： BC847BS,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
BC847BS,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BC847BS,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC847BS,115价格参考￥0.11-￥0.11。NXP SemiconductorsBC847BS,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 45V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载BC847BS,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BC847BS,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BC847BS,115 是一款双极结型晶体管（BJT）阵列，内部集成了两个NPN型晶体管，采用SOT23-6封装，具有小型化、高可靠性特点。该器件广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。 典型应用场景包括： 1. 信号放大：适用于音频或低频信号的前置放大电路，因其良好的线性特性可有效提升信号质量。 2. 开关控制：常用于电源管理、LED驱动及继电器控制等数字开关电路，具备快速响应和低导通损耗优势。 3. 逻辑电路接口：在微控制器与外围器件之间实现电平转换或驱动缓冲，增强系统兼容性与稳定性。 4. 便携设备：由于其小尺寸封装和低功耗特性，广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间要求严格的电子产品中。 BC847BS,115还具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，适合在复杂电磁环境中可靠运行。此外，其引脚配置优化便于PCB布局，有助于提高生产效率并降低成本。总体而言，该型号适用于需要集成度高、性能稳定的通用模拟与数字电路设计场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 45V 100MA 6TSSOP两极晶体管 - BJT NPN GP 100MA 45V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BC847BS,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC847BS,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-1635-1 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 45V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 2 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 2 mA at 5 V |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 零件号别名 | BC847BS T/R |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
