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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS40300DDR2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS40300DDR2G价格参考。ON SemiconductorNSS40300DDR2G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NSS40300DDR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NSS40300DDR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NSS40300DDR2G的ON Semiconductor双极晶体管阵列,主要应用于需要高效、稳定晶体管开关功能的电路设计中。该器件包含两个独立的NPN晶体管,采用双路配置,适合用于放大、开关及逻辑电平转换等基础电子功能。 NSS40300DDR2G常见于电源管理电路、DC-DC转换器、LED驱动器以及工业自动化控制系统中。由于其封装小巧(如SOT-23),也适用于空间受限的便携式电子产品,如智能手机、平板电脑及可穿戴设备。 此外,该晶体管阵列具备良好的热稳定性和较高的开关速度,适合在中低功率应用场景中替代分立晶体管,以简化电路设计、提高可靠性并节省PCB空间。其广泛的工作温度范围也使其适用于工业级环境。 综上所述,NSS40300DDR2G适用于消费电子、工业控制、电源管理和通信设备等多种领域的电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 40V 3A 8SOIC |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | NSS40300DDR2G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 170mV @ 200mA,2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 180 @ 1A,2V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 653mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 晶体管类型 | 2 PNP(双) |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 频率-跃迁 | 100MHz |